銷售高溫陶瓷電路板、陶瓷線路板、12層以下陶瓷電路板、珠海市佳一陶瓷有限公司是生產(chǎn)和40層以內(nèi)低溫共燒陶瓷電路板、剛性線路板、大功率模塊；陶瓷絕緣片、各種陶瓷配件、高溫陶瓷材料、96%氧化鋁基板、陶瓷球、碳化硅球、氧化鋯球、氮化硅球、氧化鋁球、陶瓷加熱器、激光打印機(jī)加熱片和加熱條、陶瓷臭氧片、陶瓷絕緣紙、各種規(guī)格陶瓷片、各種規(guī)格陶瓷管；

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公司擁有陶瓷生產(chǎn)線和陶瓷電路生產(chǎn)線，既能生產(chǎn)工業(yè)陶瓷配件，也能生產(chǎn)陶瓷電路。是一家生產(chǎn)和銷售“陶瓷配件”型的專業(yè)廠家。

我司高溫陶瓷管產(chǎn)品陶瓷熱性方面有優(yōu)良的特性，可根溫度要求據(jù)配制相對應(yīng)溫度的陶瓷管，最高使用溫度可達(dá)2500攝氏度。可從0攝氏度的水中，在1秒鐘內(nèi)放入1400攝氏度的水中，來回?zé)o數(shù)次不開裂。

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高溫

DCB是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(AL2Q3)或氮化鋁(ALN)陶瓷基片表面(  單面或雙面)上的特殊工藝方法。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，DCB基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料，也是本世紀(jì)封裝技術(shù)發(fā)展方向“chip-on-board”技術(shù)的基礎(chǔ)。

DCB技術(shù)的優(yōu)越性  ：實(shí)現(xiàn)金屬和陶瓷鍵合的方法有多種，在工業(yè)上廣泛應(yīng)用的有效合金化方法是厚膜法及鉬錳法。厚膜法是將貴重金屬的細(xì)粒通過壓接在一起而組成，再由熔融的玻璃粘附到陶瓷上，因此厚膜的導(dǎo)電性能比金屬銅差。鉬錳法雖使金屬層具有相對高的電導(dǎo)，但金屬層的厚度往往很薄，小于25μm，這就限制了大功率模塊組件的耐浪涌能力。因此必須有一種金屬陶瓷鍵合的新方法來提高金屬層的導(dǎo)電性能和承受大電流的能力，減小金屬層與陶瓷間的接觸熱阻，且工藝不復(fù)雜。銅與陶瓷直接鍵合技術(shù)解決了以上問題，并為電力電子器件的發(fā)展開創(chuàng)了新趨勢。

1、  DCB應(yīng)用

●  大功率電力半導(dǎo)體模塊；半導(dǎo)體致冷器、電子加熱器；功率控制電路，功率混合電路；

●  智能功率組件；高頻開關(guān)電源，固態(tài)繼電器；

●  汽車電子，航天航空及軍用電子組件；

●  太陽能電池板組件；電訊專用交換機(jī)，接收系統(tǒng)；激光等工業(yè)電子。

2、DCB特點(diǎn)

●  機(jī)械應(yīng)力強(qiáng)，形狀穩(wěn)定；高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱率、高絕緣性；結(jié)合力強(qiáng)，防腐蝕；

●  極好的熱循環(huán)性能，循環(huán)次數(shù)達(dá)5萬次，可靠性高；

●  與PCB板(或IMS基片)一樣可刻蝕出各種圖形的結(jié)構(gòu)；無污染、無公害；

●  使用溫度寬-55℃～850℃；熱膨脹系數(shù)接近硅，簡化功率模塊的生產(chǎn)工藝。

3、使用DCB優(yōu)越性

●  DCB的熱膨脹系數(shù)接近硅芯片，可節(jié)省過渡層Mo片，省工、節(jié)材、降低成本；

●  減少焊層，降低熱阻，減少空洞，提高成品率；

●  在相同載流量下  0.3mm厚的銅箔線寬僅為普通印刷電路板的10%；

●  優(yōu)良的導(dǎo)熱性，使芯片的封裝非常緊湊，從而使功率密度大大提高，改善系統(tǒng)和裝置的可靠性；

●  超薄型(0.25mm)DCB板可替代BeO，無環(huán)保毒性問題；

●  載流量大，100A電流連續(xù)通過1mm寬0.3mm厚銅體，溫升約17℃；100A電流連續(xù)通過2mm寬0.3mm厚銅體，溫升僅5℃左右；

●  熱阻低，10×10mmDCB板的熱阻：

0.63mm厚度陶瓷基片DCB的熱阻為0.31K/W

0.38mm厚度陶瓷基片DCB的熱阻為0.19K/W

0.25mm厚度陶瓷基片DCB的熱阻為0.14K/W

●  絕緣耐壓高，保障人身安全和設(shè)備的防護(hù)能力；

●  可以實(shí)現(xiàn)新的封裝和組裝方法，使產(chǎn)品高度集成，體積縮小。

4、陶瓷覆銅板DCB技術(shù)參數(shù)

參數(shù)名稱

技術(shù)參數(shù)

材料名稱：

    AL2O3(≥96%)

最大規(guī)格    mm×mm

138×178  或138×188

瓷片厚度    mm

0.25，    0.38，    0.5，0.63±0.07(標(biāo)準(zhǔn))，  0.76，1.0

熱導(dǎo)率  W/m.K

24～28

瓷片介電強(qiáng)度    KV/mm

＞14

瓷片介質(zhì)損耗因數(shù)

≤3×10-4(25℃/1MHZ)

瓷片介電常數(shù)

9.4(25℃/1MHZ

銅箔厚度(mm)

0.1～0.6        0.3±0.015(標(biāo)準(zhǔn))

銅箔熱導(dǎo)率  W/m.K

385

表面鍍鎳層厚度    μm

1～7

表面粗糙度  μm

Rp≤7，  Rt≤30，  Ra≤3

平凹深度&nbs