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半導體激光器內部結構及原理
  半導體激光器的工作物質有砷化鉀（gaas），砷化銦（inas），銻化銦（insn），鋁化鎵（gaalas）等，輸出波長大都在可見光的長波到近紅外之間，醫用最短的有650nm（常用作瞄準光），常見的波長有810nm，980nm等，不同種類的半導體激光器輸出功率差別較大：雙異質結條形激光器連續輸出功率為數百毫瓦，脈沖輸出可達幾十瓦；激光列陣器件連續輸出功率可達百瓦級，脈沖輸出達千瓦級；可調諧激光器連續輸出功率為零點幾毫瓦，脈沖峰值功率可達幾十瓦。
 較常用的810nm半導體激光器功率為0.5~25~60w，治療模式為0.1~9.9s單脈沖、重復脈沖及連續輸出，采用400、600、1000nm接觸式及非接觸式光纖和探頭傳輸，汽化效果較1064nm快三倍靈活應用。 半導體激光器電光轉換率高（30%），沒有多余的熱量產生，從而避免了傳統燈泵浦激光和氣體激光器所需的龐大水冷系統，因此體積精巧，重量輕。同時，它也沒有傳統激光的閃光燈、晶體棒等高壓、高熱易損元件，因而壽命較長，一般半導體芯片的壽命可達100萬小時，具有操作方便，機動靈活，耗電少，效率高等優點。由于半導體激光器的諧振腔短，所以產生激光的方向性較差，發散角較大。此外，因其能極復雜，所以產生激光的譜線較寬，單色性較差。