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FET特點：邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss)：30V Id時的Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA 閘電荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V 在Vd
FET特點：邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss)：30V Id時的Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA 閘電荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V 在Vds時的輸入電容(Ciss)：1.4W 安裝類型：表面貼裝 英文描述：P-Channel
FET特點：邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss)：30V Id時的Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA 閘電荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V 在Vd
FET特點：邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss)：30V Id時的Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA 閘電荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V 在Vds時的輸入電容(Ciss)：1.4W 安裝類型：表面貼裝 英文描述：P-Channel
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