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廣州山特UPS電源IGBT的基本結構、器件符號、等效電路及低壓區輸出特性示意圖。在結構上與MOSFET山特UPS電源廠家做了充分比較，IGBT在MOSFET的漏極下又增加了一個P
區，并多一個PN結J1。由等效電路可知它是由MOSFET和雙極型功率晶體管復合而成的。因此，它具有如下特點：
①廣東山特UPS電源IGBT的輸入級是MOSFET，在G和E之間加上驅動電壓，MOSFET便進入導通狀態。因此，IGBT是一種電壓控制器件。
②在IGBT中，由于MOSFET的開關速度很快，所以IGBT的開關速度取決于等效晶體管的開關速度。在IGBT中，通過對N
區厚度的最佳化來抑制過量載流子的注入，并通過引入壽命抑制機構減少存儲載流子的消散時間，由此縮短等效晶體管的開關時間，從而可以提高IGBT的開關速度，使其比雙極型晶體管快得多而減少深圳山特UPS電源維修的幾率。
③深圳山特UPS電源當在IBGT的集電極—發射極之間加上負電壓時，由于P
N結J1處于反向偏置狀態，所以在集電極—發射極之間不可能有電流流過。又由于IGBT比MOSFET多了一個J1結，所以IGBT比MOSFET具有更高的耐壓。
由于IGBT的P
區的存在，當IGBT處于導通狀態時，正載流子會從P
區注入并積聚在N區中，從而使IGBT在導通時呈現低阻狀態，所以IGBT的電流容量也要比MOSFET大。
④美國山特UPS電源IGBT處于導通狀態時，UCE的大小能反映過流情況。因此，可以通過測量UCE來識別過流情況，一旦UCE高于某一數值，則表明出現過流情況，此時可通過控制柵極電壓快速變為零或負電壓來使IGBT快速關斷，從而實現對IGBT的過流保護。
通過以上分析可以看出，IGBT具有正、反向阻斷電壓高，通態電流大，可以通過電壓來控制其導通或關斷等特點避免了深圳山特UPS電源維修率高。同時，由于采用了MOS柵，所以其控制電路的功耗小，導通和關斷時的靜態功率損耗也很小，只有在狀態轉換過程中存在一定的動態損耗。對于這種動態損耗，可以通過ZVS或ZCS軟開關技術使其減小到最小。由于IGBT具有這些特點，才使其被山特UPS電源廠家廣泛地當做SPWM功率開關器件在UPS變換電路中應用。




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