納米ZnO技術(shù)1、高電位梯度：近年國內(nèi)外的研究結(jié)果表明，ZnO芯片的電位梯度取決于單位厚度內(nèi)的晶界數(shù)目，液相擴(kuò)散控制ZnO晶粒的生長速度；而晶界數(shù)目又是由ZnO晶粒粒徑所確定的，故減小ZnO晶粒粒徑是提高ZnO芯片電位梯度的主要途徑。納米ZnO是由極細(xì)晶粒組成，其特征維度尺寸（晶粒尺寸、晶界寬度、第二相分布等）是納米數(shù)量級。以納米ZnO為核心的高梯度配方的設(shè)計，能夠有效增加晶界層數(shù)量、抑制晶粒生長速度及提高勢壘高度，能夠大幅提高單位面積的通流能力，能夠大幅提高電位梯度。2、高能量耐受：同單位體積的能量耐受，主要體現(xiàn)在ZnO芯片擊穿。其主要原因是由于電流分配不均勻?qū)е聼崮軈R集某一點(diǎn)，最終歸結(jié)于微觀組織結(jié)構(gòu)的不均勻性所致。這就要求盡可能從制造工藝上提高ZnO芯片結(jié)構(gòu)和成分均勻性、減少陶瓷本體內(nèi)部缺陷。在原料的選用上，納米ZnO粒子作為聯(lián)系宏觀物體及微觀粒子的橋梁，其表面效應(yīng)伴隨著粒徑的減丬小，表面原子數(shù)的迅速增加，納米粒子的表面積、表面能都迅速增大。表面原子周圍缺少相鄰的原子，電涌保護(hù)器生產(chǎn)，有許多懸空鍵，具有不飽和性質(zhì)，易與其它原子相結(jié)合而穩(wěn)定下來，北京電聯(lián)港電器設(shè)備有限責(zé)任公司，電聯(lián)港電器，故具有很大的化學(xué)活性。在添加劑的選用上，使用易于分散、活性較高的改性納米BiO3，有助于提高燒結(jié)過程中的傳質(zhì)速度，有助于改善液相對界面的侵潤性，形成良好的晶界面。納米材料的配方、新型高效分散設(shè)備的應(yīng)用和窯爐曲線的調(diào)整，對于芯片均勻性改善均起到顯著作用，對于單位體積能量耐受能力提高起到顯著作用。熱能聚中技術(shù)1、高安全性：熱能聚集人為控制在中心區(qū)域；非中心區(qū)域的溫度，要遠(yuǎn)低于中心區(qū)域。從而保障了熱脫離器脫離前，非中心區(qū)域的溫度，一直處于安全溫度；避免熱脫離器脫離過程中，非中心區(qū)域的某點(diǎn)溫度，可能已經(jīng)超過甚至遠(yuǎn)超過警戒值，電涌保護(hù)器生產(chǎn)，進(jìn)而可能引發(fā)火災(zāi)，保障了客戶設(shè)備的安全運(yùn)行。2、TOV快速、準(zhǔn)確:熱能聚集人為控制在中心區(qū)域；芯片的熱能，傳導(dǎo)到脫離器的傳導(dǎo)距離最短、傳導(dǎo)熱能最多、傳導(dǎo)熱能最集中、傳導(dǎo)速度最快，保障熱脫離器能夠最快速度準(zhǔn)確脫離。保障了客戶設(shè)備的TOV的快速、準(zhǔn)確。SPD選型原則1、級間配合：電涌保護(hù)器SPD2安裝在SPD1的下游，通常它的各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)(Imax，In，Ures)都比SPD1小。但如果它與SPD1安裝得過近，SPD2有可能比SPD1更早動作，從而要承受本由SPD1承受的高能量。一定要按逐級分流、分級保護(hù)的方法，才能保證SPD即有很長的壽命，又能把電源系統(tǒng)雷擊電涌電壓限制在設(shè)備能承受的水平內(nèi)。2、15米原則：當(dāng)進(jìn)線端的SPD與被保護(hù)設(shè)備之間的距離>15米，應(yīng)在離被保護(hù)設(shè)備盡可能近的地方安裝另一個電涌保護(hù)器3、10米原則：當(dāng)保護(hù)SPD1和SPD2作為級聯(lián)安彳裝時，SPD1和SPD2之間的最短距離：10米。目的為了延遲SPD2上雷擊波的到達(dá)，以使盡可能多的能量被SPD1釋放。4、50CM原則：進(jìn)線和出線可以直接并接，也可以用V形接法（凱文接線）連接。直接并接要求a+b≤0.5m，而V形接法只要求a≤0.5m，以減少引線電感電壓降對被保護(hù)設(shè)備的沖擊。.電聯(lián)港電器///電涌保護(hù)器生產(chǎn)