深圳眾誠達應用材料科技有限公司生產銷售磁控濺射用的靶材。磁控濺射生成的薄膜厚度的均勻性是成膜性質的一項重要指標，因此有必要研究影響磁控濺射均勻性的因素，以更好的實現磁控濺射均勻鍍膜。簡單的說磁控濺射就是在正交的電磁場中，閉合的磁場束縛電子圍繞靶面做螺線運動，在運動過程中不斷撞擊工作氣體氬氣電離出大量的氬離子，氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。所以要實現均勻的鍍膜，就需要均勻的濺射出靶原子（或分子），這就要求轟擊靶材的氬離子是均勻的且是均勻的轟擊的。由于氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，所以均勻轟擊很大程度上依賴電場的均勻。而氬離子來源于被閉合的磁場束縛的電子在運動中不斷撞擊的工作氣體氬氣，這就要求磁場均勻和工作氣體氬氣均勻。但是實際的磁控濺射裝置中，這些因素都是不均勻的，這就有必要研究他們不均勻對成膜均勻性的影響。

深圳眾誠達應用材料科技有限公司生產銷售的靶材，應用于平板顯示行業。平面顯示器（FPD) 這些年來大幅沖擊 以陰極射線管 (CRT) 為主的電腦顯示器及電視機市場，亦將帶動ITO靶材的技術與市場需求。如今的i T O靶材有兩種．一 種是采用納米狀態的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫臺金靶材可以采用 直流反應濺射制造 I T O薄膜，但是靶表面會氧化而影 響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺金靶材。如今一般采取第一種方法生產 I T O 靶材，利用 L } I R F反應濺射鍍膜． 它具有沉積速度快．且能精確控制膜厚，電導率高，薄膜的一致性好，與基板的附著力強等優點 l。但是靶材制作困難，這是因為氧化銦和 氧化錫不容易燒結在一起。一般采用 Z r O2 、B i 2 O 3 、 C e O 等作為燒結添加劑，能夠獲得密度為理論值的 9 3 %~9 8 %的靶材，這種方式形成的 I T O薄膜的性能 與添加劑的關系極大。