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晶間腐蝕，局部腐蝕的一種。沿著金屬晶粒間的分界面向內部擴展的腐蝕。

  晶間腐蝕的產生必須具備兩個條件：

        （1）晶界物質的物理化學狀態與晶粒不同；

        （2）特定的環境因素。晶間腐蝕常在不銹鋼、鎳基合金、銅合金等合金上發生，主要在焊接接頭上或經一定熱處理后使用時發生。晶間腐蝕不僅導致材料的承載能力降低，而且誘發晶間型應力腐蝕開裂，或引發點腐蝕。

晶間腐蝕的根本原因是晶粒間界及其附近區域與晶粒內部存在電化學上的不均勻性，這種不均勻性是金屬材料在熔煉、焊接和熱處理等過程中造成的。例如：（1）晶界析出第二相，造成晶界某一合金成分的貧乏化；（2）晶界析出易于腐蝕的陽極相；（3）雜質與溶質原子在晶界區偏析；（4）晶界區原子排列雜亂，位錯密度高；（5）新相析出或轉變，造成晶界處較大的內應力。這些原因均可能構成特定體系的晶間腐蝕機理模型。總之，當某種介質與金屬所共同決定的電位下，晶界的溶解電流密度遠大于晶粒本身的溶解電流密度時，便可產生晶間腐蝕。

晶間腐蝕測試可以分為A/B/C/D/E五種方法，常用的檢測標準是GB/T4334-2008和ASTM  A262-2010.