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1．閾值電流。當注入p-n結的電流較低時，只有自發(fā)輻射產(chǎn)生，隨電流值的增大增益也增大，達閾值電流時，p-n結產(chǎn)生激光。影響閾值的幾個因素：（1）晶體的摻雜濃度越大，閾值越小。 
（2）諧振腔的損耗小，如增大反射率，閾值就低。 
（3）與半導體材料結型有關，異質結閾值電流比同質結低得多。目前，室溫下同質結的閾值電流大于30000A/cm2；單異質結約為8000A/cm2；雙異質結約為1600A/cm2。現(xiàn)在已用雙異質結制成在室溫下能連續(xù)輸出幾十毫瓦的半導體激光器。 
（4）溫度愈高，閾值越高。100K以上，閾值隨T的三次方增加。因此，半導體激光器最好在低溫和室溫下工作。
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