型　　號:N605
電　　源: 220V，110V
凈　　重: 45KG
尺      寸：78*58*122CM
包　　裝：木箱

E光美容儀是光電互利的全新升級，其產生的脈沖射頻光作用于皮膚，可以覆蓋解決皮膚的多種疑難問題，是一款難得的高科技智能美容儀器。
治療范圍：
1、脫毛：腋毛、胡須、四肢毛發(fā)、發(fā)髻線、比基尼等影響美觀的毛發(fā)。
2、祛斑：雀斑、黃褐斑、曬斑、老年斑、肝斑、真皮斑、胎記及部分色素沉著。
3、嫩膚：改善額頭、面部、手臂、腹部、腿部等皮膚粗糙程度，增強肌膚彈性，細嫩美
4、祛痘：面部、肩部、胸部、腰部、臀部等部位細菌感染性痘痘。
5、袪紅血絲：先天性紅血絲、換膚后紅血絲、紅面、紅斑、皮膚過敏及敏感。
E光核心技術：射頻＋光能＋表皮冷卻。在E光技術中，光能扮演的是一個引導者的角色，引導射頻能集中作用于靶組織，在光能強度較低的情況下強化靶組織對射頻的吸收。同時治療頭表面接觸式冷卻技術消除了因光能過強導致的熱作用并增加了表皮的阻抗，減少表皮對射頻能的吸收，使療效和安全性都大大提高，而且對淺色靶組織同樣有效。智能化的組合（IPL+RF），使上述兩種能量最大限度地聚焦到表皮的斑點樣色素團和真皮的膠原組織和毛囊的毛乳頭部位。RF技術提供的能量幾乎均勻加熱整個皮膚層，而此時聯(lián)合應用IPL的選擇性光熱原理可以強化嫩膚、祛斑和脫毛的效果，在患者無明顯痛感和副作用的情況下輕松實現(xiàn)皮膚重建和脫毛。
E光脫毛、祛斑原理：
E光作用于皮膚后，色斑及毛根里的黑色素自主吸收射頻光的光能量，色斑吸收射頻光的能量上浮代謝，毛根吸收射頻光的能量萎縮壞死。正常皮膚及毛囊不受任何影響。
E光嫩膚、祛痘、祛紅血絲原理：
E光作用于皮膚后，射頻光的能量所產生的熱作用有效刺激膠原質再生，彈力纖維重組，形成支架，重新托起皮膚，從而達到嫩膚；痘痘被射頻光作用后，痘痘里面的丙酸桿菌直接被殺滅 擴張的毛細血管吸收射頻光的能量后，血管封閉、萎縮，改善紅血絲。
E光治療頭的核心技術主要有三點:雙極射頻+能量脈沖光能+表皮冷卻。基于光能會被表皮色素大量吸收，高能量或者深色皮膚治療時風險較大，另外由于大部分光能被反射和折射，真正到達皮膚組織充分吸收的能量僅占30%-40%，如果達到治療目的，就需要提高能量，相對皮膚會易于灼傷。E光技術中光能主要用于調整組織的阻抗值，引導RF（射頻）能量深入集中，配合表皮冷卻技術，將射頻推向真皮組織，在光能較低的情況下，加強靶組織對RF（射頻）的吸收，從而避免主要能量的反射和折射問題。RF（射頻）能量的吸收并不受黑色素的影響，被證實可用在深色皮膚及淺色的細軟毛發(fā)上，低能量脈沖光作用的疼痛感覺及風險也大大降低。
技術優(yōu)勢：
1、采用進口藍寶石晶體，“制冷控制系統(tǒng)，光頭溫度可調
2、純進口的藍寶石導光晶體，光頭終身使用，無須更換
3、超強過濾系統(tǒng)和自動控溫功能保障了治療的安全、高效、快捷.
4、全注塑外殼，防漏電、抗干擾，晶體系統(tǒng)更穩(wěn)定.
5、大水箱設計，散熱效果更好，持續(xù)工作時間長.
6、非介入無痛苦治療，術后可當場洗臉化妝，不影響正常工作生活.
7、帶有水溫檢測系統(tǒng)，超過臨界點，將自動發(fā)出警告。
8、進口寶石晶體導光系統(tǒng)，冷卻性能更好，更舒適，更持久。.
9、以色列*半導體冷卻系統(tǒng)，給皮膚表皮提供-10度。
10、治療頭按照人體工程學設計，更小巧，更方便，減少操作者疲勞。
11、采用美國8倍大氣壓光源。
12、外殼采用高純度工程ABS塑料，防漏電，更安全。
13、三大冷卻系統(tǒng)*以色列*半導體+水冷+風冷，外加冷凝膠冷卻，更科學。
治療特點：
E光治療每次時間約20—30分鐘，兩次治療一般間隔3—4周（21—28天）
1：色斑治療：表皮斑快速見效，一般一次就可以見效，經過療程3—5次的治療后達到顯著的效果，深層斑：慢，能量高會結痂。
2：毛細血管擴張：一般治療后紅血絲明顯減輕，有些患者要經過幾次治療以后才會有明顯的改變。
3：脫毛：一次見效，完全祛除三次左右（生長期，靜止期，退行期）。
4：祛痘，1——2次見效，嚴重者要幾次效果才明顯。
技術參數(shù)：
E光采用1000W電源、藍寶石治療頭、觸摸屏
RF頻率：10MHZ                        脈沖個數(shù):1-6
RF功率：100W                          脈沖間隔:5-99ms
放電間隔：2-4S                          光斑面積：8*40mm
RF時間：500-9500ms                輸出功率：1000W
脈沖寬度：1-9.9ms                    儲電量：20000/30000/40000uf
能量密度:10-50J/cm                    制冷方式：風冷、水冷、半導體制冷