DDB6U104N16RR技術(shù)支持

生產(chǎn)廠家  INFINEON英飛凌
年份  1345+
產(chǎn)地  德國(guó)
DDB6U104N16RR備注  全新進(jìn)口原裝正品
名稱(chēng)  IGBT模塊
DDB6U104N16RR包裝  盒裝  10只/盒

封裝  模塊
材料  樹(shù)脂

IGBT模塊所致傳導(dǎo)干擾的應(yīng)對(duì)措施  為了降低傳導(dǎo)干擾頻譜高頻帶內(nèi)的峰值，應(yīng)：  [1]  降低IGBT開(kāi)關(guān)的電壓變化率。  [2]  增加諧振回路的阻抗，以降低諧振電流。   

但是，這些措施仍然具有如下缺點(diǎn)： 

  [1]  當(dāng)降低電壓變化率時(shí)，將增加IGBT損耗。 

  [2]  僅增加/降低L和C參數(shù)時(shí)會(huì)使諧振頻率變化，而且很難降低峰值。從物理結(jié)構(gòu)上來(lái)說(shuō)，也不可能消除寄生電感L和電容C。   

(3)-1    通過(guò)調(diào)整門(mén)極電阻降低傳導(dǎo)干擾 

圖10-19為使用7MBR75U4B120  的PDS（帶輸入濾波器）的傳導(dǎo)干擾頻譜。從該圖可以看出，當(dāng)門(mén)極電阻為標(biāo)準(zhǔn)值的2倍或3倍時(shí)，傳導(dǎo)干擾10MHz頻率附近的峰值降低約5  dBμV。

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