FF300R12KT3
包裝  10只/盒
產(chǎn)地  德國
FF300R12KT3生產(chǎn)廠家  INFINEON
中文名稱  英飛凌
別名  IGBT模塊
備注  全新進口原裝正品環(huán)保
規(guī)格  300A  1200V
FF300R12KT3年份  1328+
數(shù)量  680只

電壓控制型元件 

IGBT的理想等效電路，正如圖  1-2所示，是對pnp雙極型晶體管和功率MOSFET進行達林頓連接后形成的單片型Bi-MOS晶體管。 

FF300R12KT3因此，在門極—發(fā)射極之間外加正電壓使功率MOSFET導通時，pnp晶體管的基極—集電極間就連接上了低電阻，從而使pnp晶體管處于導通狀態(tài)。 

此后，使門極—發(fā)射極之間的電壓為0V時，首先功率MOSFET處于斷路狀態(tài)，pnp晶體管的基極電流被切斷，從而處于斷路狀態(tài)。