半導體氫氣凈化機實驗室氫氣凈化器全自動高純氫氣凈化裝置H2氣體的年處理量500噸（7200小時/年），氫氣中的氧氣初始含量：《1%（體積分數）。

      半導體氫氣凈化機實驗室氫氣凈化器全自動高純氫氣凈化裝置氫氣進入燃燒爐前需要增加干燥器，要求水分為0  ；純化后的氧氣含量要求小于10ppm  。

離子膜燒堿氫氣出口壓力：18KPa；純化處理后氫氣中氧氣含量《1ppm

        離子膜燒堿氫其純度大于99.%，氫氣中仍含有1%雜質，而氧氣的含量占的比重較大，水分的含量也較多，為了獲取純度為99.999%的氫氣，我們可以采用除氧、脫水及其它雜質的工藝措施，即可獲得高純度的氫氣。鑒于原料氫氣壓力過低，我們采取純化前增壓純化后減壓的工藝來保證設備的占地面積及設備預算。

        氫氣純化的工藝流程為：

                  原料氫→儲罐→氫氣增壓機→儲罐→除氧→冷凝→吸附干燥→過濾→高純氫

脫除氫氣中的氧氣采用了催化劑原理，催化劑采用活性較高的鈀催化劑，氧氣與氫氣在催化劑作用下反應生成水，這種轉化幾乎是100%。利用冷凝器將飽和的水排放出來，其余的水將隨氫氣進入吸附干燥器，被分子篩吸附掉，同時吸附掉二氧化碳及氮氣。經過純化處理后的氫氣通過精密過濾器除掉塵埃，這樣我們就可以獲得純度為99.999%的氫氣。

半導體氫氣凈化機實驗室氫氣凈化器全自動高純氫氣凈化裝置

  主要技術指標

1、  處理氣量                                                      20m3/h

2、  工作壓力                                                      0.3Mpa

3、  氫氣純度                                                      O2≤1ppm   

                                                                            H2O≤2.6ppm

                                                                      粉塵顆粒≤3個/升（100級）

4、  吸附干燥器工作時間                                  ≥24h

5、  吸附干燥器再生時間                                  ≤8h

6、  吸附干燥器工作溫度                                    常溫

7、  吸附干燥器再生溫度                                    300℃

8、  再生氣消耗                                                    8m3/24h

9、  電源                                                                220v          60H